st 半导体

新型汽车级IHDF边绕通孔电感器—IHDF-1300AE-1A，额定电流 72A，饱和电流高达 230A。Vishay Custom Magnetics IHDF-1300AE-1A采用铁氧体磁芯技术，厚度仅为15.4 mm，可在-55 °C至+155 °C恶劣温度条件下工作，交流和直流功耗低，具有优异的散热性能。
st 半导体　　Dubhe-70在功率、面积以及效率方面都拥有表现，与Arm Cortex-A55相比， Dubhe-70性能高出80%，能效比高出32%，面效比高出90%。与赛昉科技去年推出的主打高能效比的Dubhe-80相比，Dubhe-70的能效比提升21%，面效比提升5%。Dubhe-70可应对高性能场景下对功耗有着严苛要求的各类细分领域，涵盖工业控制、存储、移动终端、边缘终端、云终端、AI等。
　　MAX32690的蓝牙5.2低功耗 (LE) 射频支持Mesh、长距离（编码）和高吞吐量等多种模式。该器件的RISC-V内核可处理时序关键型控制器任务，让程序员无需担心BLE中断延迟问题。此外，单独提供使用软件编解码器的LE音频硬件。

　　59177系列磁簧开关采用9.0 mm x 2.5 mm x 2.4 mm (0.354″ x 0.098” x 0.094″）超小型尺寸，是Littelfuse产品组合中尺寸的包覆成型磁簧开关。 尽管体积小巧，但这款开关可在高达10 W的功率下处理高达170 Vdc或0.25 A的电流，确保在要求苛刻的应用中实现性能。
我们与 ST 合作开发了一款双声道网络音频适配器，采用STM32MP1系列微处理器转换网络数字信号和音频信号，以便传输和接收音频信号。稳健的处理性能、以太网连接能力和适应性强的音频输出接口是我们选择 STM32MP1系列设计产品的关键考虑因素。现在，我们对ST的MPUs，特别是 STM32MP2 系列所带来的应用机会抱有浓厚的兴趣，因为这款产品具有更高的能效，让我们能够尽可能地降低音箱的散热要求。
st 半导体　　随着NSF0xx120D7A0的发布，Nexperia正在满足市场对采用D2PAK-7等SMD封装的高性能SiC开关日益增长的需求，这种开关在电动汽车(EV)充电（充电桩）、不间断电源(UPS)以及太阳能和储能系统(ESS)逆变器等各种工业应用中越来越受欢迎。
此外还消除了检测电阻损耗，进一步提高效率。通过内置的相电流(IPH)信息实时报告功能，可实现的电机控制。通过对门极开关驱动信号的控制以及使用具有软恢复特性的体二极管，其典型的EMI特性表现比现有驱动器低10dB，因此可以选用更小的EMI滤波器。
Supermicro在其产品设计与提供各种应用优化解决方案方面处于行业领先地位，而我们的全新X14系统采用即将推出的Intel Xeon 6处理器，将进一步扩展我们现有的广泛产品组合。通过我们每月5,000台机架的全球制造产能，其中包括1,350台100kW的液冷机架，交付周期短至 2 周，Supermicro在设计、构建、验证和为客户提供完全定制化、工作负载优化的机架级解决方案，包括目前先进的人工智能硬件的能力上，都达到了优异的程度。

骁龙X80 5G调制解调器及射频系统，持续引领创新步伐。骁龙X80集成专用5G AI处理器和5G Advanced-ready架构，实现了多项全球首创的里程碑，包括首次在5G调制解调器中集成NB-NTN卫星通信、首次面向智能手机支持6Rx、下行六载波聚合以及首次面向固定无线接入客户端设备（CPE）支持由AI赋能的毫米波增程通信。
st 半导体　　MA35H0 专注于计算，而不是控制。虽然微处理器和微控制器这两个术语有时可以互换使用，但 MA35H0 系列 MPU 的规格明确强调了其计算能力。例如，该系列支持高分辨率显示器、兆位以太网和各种通信协议，以便轻松与外部外围设备集成。与普通微控制器相比，这些器件还具有强大的计算能力，支持带有两个 Arm 内核的 650 MHz 时钟。
此次推出的高压通用比较器系列产品，包括AWS72903 & AWS72931两个型号。该系列产品拥有高电压工作（可达36V）、开漏输出、低功耗、低输入失调电压、1.3us响应时间等优异性能，并且有内部偏置电路和补偿电路，可以提高比较器的稳定性和响应速度，广泛应用于机器人，工业控制等领域的电压检测、过流保护、开关控制等功能应用中。
这些器件的一个关键功能是通过限制浪涌电流来保护PoE端口，同时安全地管理故障情况。为了应对这种情况，Nexperia将这些器件的安全工作区(SOA)增强了3倍，而RDS(on)只有非常微小的增幅。 这些ASFET还适用于电池管理、Wi-Fi热点、5G微微蜂窝和闭路电视应用，并且可以替代智能恒温器中的机械式继电器等。