stm32系列单片机
Nexperia推出了采用5 x 6和8 x 8mm封装LFPAK封装的80和100V MOSFET，Rds（on）范围为1.8至15mΩ，100V器件的Rds（on）范围为2.07mΩ以上。
该公司表示：“许多MOSFET制造商在将其器件的开关性能与其他产品进行比较时，专注于通过低Qg（总）和低Qgd来实现高效率。然而，Nexperia认为Qrr同样重要，因为它会影响尖峰效应，进而影响器件切换过程中产生的电磁干扰（EMI）量。
stm32系列单片机采用超小型MiniLED封装的新型蓝色和纯绿色表面贴装LED—VLMB2332T1U2-08和VLMTG2332ABCA-08。Vishay Semiconductors VLMB2332T1U2-08和VLMTG2332ABCA-08外形尺寸为2.2 mm x 1.3 mm x 1.4 mm，采用先进的超亮InGaN芯片技术，典型发光强度分别达到440 mcd和2300 mcd，比上一代PLCC-2封装解决方案提高四倍。
目前，单线圈解决方案已成为功率15W以下服务器散热风扇的标准配置。而要求功率更高的风扇，通常考虑基于MCU的单线圈或三相解决方案。但随着MLX90418的发布，单线圈解决方案被成功扩展到功率高达30W的4cm和6cm服务器风扇应用的适用范围。
汽车、消费和工业设计在不断发展，需要更高的性能和更小的尺寸。但提高性能往往需要以更高的成本和更大的尺寸为代价。通过将多种器件功能集成到单颗芯片中，基于dsPIC? DSC的集成电机驱动器可以降低系统级成本和减少对电路板空间的占用
在电机控制逆变器方面，开发人员正在使用 GaN 来减少热量，获得更小、更持久的系统功率。以上两个市场正是CGD ICeGaN 功率 IC 现在的目标市场。简化的栅极驱动器设计和降低的系统成本，再加上先进的高性能封装，使 P2 系列 IC 成为这些应用的选择。
stm32系列单片机NVMe NANDrive BGA封装的固态硬盘样品，以满足其用户在高压力、严苛工作环境的嵌入式应用中要求高可靠、高性能的数据存储需求。NVMe NANDrive固态硬盘工作温度-40oC至+95oC，支持PCIe Gen3x4接口，采用行业标准的M.2 1620（16 x 20mm，291球）BGA封装。欲了解更多NVMe NANDrive 产品信息，请访问https://bit.ly/NVMe-BGA-SSD。
三星Galaxy Buds3系列基于收集自用户的耳部3D统计数据与刀锋设计语言打造，佩戴牢固舒适，支持高达24bit/96kHz的高品质音频，以及自适应EQ和自适应ANC等降噪、声音优化功能。三星Galaxy Buds3 Pro支持独特的刀锋灯效设计，配备包含平面高音单元的增强型双路扬声器，并针对沉浸式体验推出了自适应噪音控制、警报检测和语音检测等创新功能，进一步提升用户的沟通方式与音频体验。在基于机器学习的预训练模型降噪算法和超宽频通话功能的加持下，三星Galaxy Buds3系列的通话效果也更加自然清晰。
ABI Research近发布的一份报告显示[1]，包括传感、机器人、信标、智能家居、资产追踪等工业物联网应用以及其他未来应用场景，对产品的各种性能都有更高的要求。为此，英飞凌推出的CYW20822-P4TAI040蓝牙模块通过提供强大的连接能力和出色的性能，能帮助客户打造出适用于物联网和消费电子领域的创新产品。
为此，村田开发了“Type 2GT”模块，这是村田首款同时支持LoRaWAN和卫星通信的产品。本产品配备了率先支持LoRaWAN和卫星通信的Semtech公司芯片组“LoRa ConnectTM LR1121”，可进行860MHz至930MHz及2.4GHz（ISM Band）且发射功率达到22dBm的远距离通信和卫星通信。通过村田特有的无线设计技术、节省空间的安装技术和产品加工技术，实现了小型化和高性能化。
stm32系列单片机新型 SRR5228A 及 SRR5828A 系列屏蔽功率电感器。Bourns 的符合 AEC-Q200 标准的车规级功率电感器，采用铁氧体磁芯和铁氧体屏蔽设计，这种结构可提供低磁场辐射，特别是针对：汽车驾驶员辅助设备、信息娱乐系统和照明设计应用更是至关重要。新款电感器可在低噪音环境下运行，此外也非常适合经常需要更高的可靠性电感器，例如：消费性、工业和电信应用中的 DC-DC 转换器和电源。
在自动化系统中，传感器数据的价值会随时间推移而递减，而这些数据必须根据的信息运行，才能实现时延和确定性响应。在工业和医疗应用中，许多决策需要在几毫秒内做出。Embedded+ 能限度发挥合作伙伴和客户数据价值，其高能效和高性能算力使合作伙伴能够专注于满足客户和市场需求。
MA35H0 系列包含两个 64/32 位 Arm Cortex-A35 内核，时钟速度高达 650 MHz。除了每个内核 32 KB 的 L1 缓存和 512 KB 的 L2 缓存外，MPU 还包括 128 MB 内部 DDR SDRAM，通过在 24 mm2 封装中引入更多内存，消除了对专用外部存储器的需求，这使得 MPU 非常适合计算密集型应用。