stm芯片

　　三星采用的Dimensity 9300+被认为是联发科充分展示设计能力的产品，虽然与竞争对手骁龙8 Gen 3一样采用台积电4纳米（nm；1nm=十亿分之一米）工艺生产，但近在半导体性能评估网站上获得了更高的分数。据报道，它比高通的AP便宜10%以上。
stm芯片调光方式灵活，支持模拟和数字（内部&外部）调光；提供完整的故障诊断和保护功能，集成输入和输出的电流检测功能；开关频率可调并支持展频功能，来确保出色的EMC性能；内置高侧PMOS驱动，可以驱动外部PMOS拓展高调光比应用。得益于恒流和恒压模式的灵活调节，DIA89360也可以为USB等非LED应用供电。
　　MAX32690的蓝牙5.2低功耗 (LE) 射频支持Mesh、长距离（编码）和高吞吐量等多种模式。该器件的RISC-V内核可处理时序关键型控制器任务，让程序员无需担心BLE中断延迟问题。此外，单独提供使用软件编解码器的LE音频硬件。

同时，配备纹理相机，能够真实还原物体色彩信息。SFH 4726AS LED使用的是红外不可见光，投射时更安全、舒适，不会对人眼造成伤害。此外，智能补光设置使得用户可以自由选择开／关补光，避免光源频闪侧记的影响，真正实现不可见光扫描效果。
Spartan FPGA 产品线由赛灵思（被AMD收购）于1997年首次推出，以满足1万到10万门数FPGA的应用需求。该系列一直主打成本优化、低功耗和更小巧的封装，并以嵌入式电子产品、物联网和消费类设备作为目标市场。
stm芯片　　SC538HGS在近红外光下的感度提升，能够切实解决实际工业应用中光线条件复杂的关键痛点，为室内运动轨迹捕捉、新能源材料检测等高频工业机器视觉检测场景带来显著的成像质量提升，保障准确高效的检测效果。
　　BC68R2123工作电压为2.2V~3.6V；MCU具有1K×14 OTP Memory、64×8 RAM、2组Timer等系统资源。RF发射功率达+13dBm，射频特性符合ETSI/FCC规范，支持OOK/FSK调制，传输速率0.5kbps~50kbps。采用16NSOP-EP封装，具备9个GPIO。
TE Connectivity HDC浮动式充电连接器采用缩小尺寸的混合设计和巧妙的浮动式系统，使AGV/AMR能自动修正插配位置。该连接器采电源和信号混合设计，包含两个250V、80A电源引脚（额定冲击电压为4.0KV）和四个60V、10A信号引脚（额定冲击电压为1.5KV）。其浮动式设计提供0.5mm的公差。这些连接器的紧凑式混合设计有助于满足缩小封装尺寸、减少空间占用和减轻重量的要求，即使在严苛的工业环境中也能帮助实现车辆的小型化。TE HDC浮动式充电连接器具有多达30,000次插配循环的耐用性，是一款高度可靠、功能强大的解决方案。

HAL/HAR 3936 具有多功能编程特征以及高精度，这款传感器是转向柱开关、换挡器、制动踏板位置传感器或制动行程传感器的潜在解决方案。**现可提供样品。计划于 2024 年低投产。
stm芯片　　 第三代高通S3音频平台通过对高通语音和音乐合作伙伴扩展计划1中广泛的第三方特性增强功能的支持，为OEM厂商提供前所未有的定制化和灵活性。此外，得益于对Snapdragon Sound骁龙畅听和24-bit 48kHz无损音乐串流的支持，该平台为更广泛的聆听者带来高保真音质。
　　SiHR080N60E采用小型PowerPAK 8 x 8LR封装，外形尺寸为10.42 mm x 8 mm x 1.65 mm，占位面积比D2PAK封装减小50.8 %，高度降低66 %。由于封装采用顶侧冷却，因此具有出色的热性能，结壳（漏极）热阻仅为0.25 C/W。相同导通电阻下，额定电流比D2PAK封装高46 %，从而显著提高功率密度。此外，封装的鸥翼引线结构具有优异的温度循环性能。
　　Bourns推出第二代高间隙/爬电距离隔离电源变压器 HCT8xxxxEAL 系列。这些符合 AEC-Q200 标准的汽车级推挽高压隔离变压器提供高可靠性、紧凑型解决方案，可在工作电压高达 800 V 时提供加强绝缘，在工作电压高达 1000 V 时提供基本绝缘。通过提供单独的加强绝缘层来防护危险电压，HCT8xxxxEAL 系列说明设计师更好地实现安全性和可靠性目标，相比仅具备功能性绝缘的竞争性隔离变压器具有更大优势。