xilinx中国

我们很高兴能推出采用 WLCSP 封装的 nRF7002。在 nRF7002 系列中加入该封装，为我们的客户提供了一个多功能的紧凑型解决方案，以满足对更小、更省电的物联网设备日益增长的需求。
xilinx中国在数据准备阶段，在规模大、来源广泛、格式多样的原始数据中，筛选和清洗出利用于训练的高质量数据常会耗费大量时间；在模型训练阶段，海量小文件数据加载、Checkpoint数据调用对IO处理效率提出严苛要求；模型训练之后，多个数据资源池无法互通、海量冷数据归档带来较高的数据管理复杂度。
RECOM 全新推出新一代极具性价比的高性能 “K” 系列引脚式 DC/DC 转换器，这些产品性能更强大，额定功率达 30 W，具有宽输入电压范围，采用 1” x 1” 微型封装，高度仅 0.4英寸 (25.4 x 25.4 x 10.2 mm)。

新系列元件是一款结构更紧凑的新一代通用型产品，工作电压为450 V（直流），具有更高的CV值，功能及适合应用和之前系列产品相同。不过，B43659系列元件的尺寸更为紧凑，仅为22 mm x 25 mm 至 35 mm x 50 mm（直径 x 高度），电容范围为140 F 至 1030 F不等。另外，新元件标配带2个端子的标准本版，也可视需要提供带3个端子的版本，以确保正确安装。
　　RS2130芯片采用5*5*1.2mm QFN封装形式，基于莱斯能特自主研发的创新型架构，ASIC及MEMS均采用车规工艺，量程为±2g至±16g，多档可选，XY轴噪声小于30 ug/sqrt(hz)，特别是在大带宽时噪声表现优异，48KHz ODR不开滤波器情况下总的输出RMS噪声小于5mg。在4kHz时延时小于100 us，芯片可直接对接A2B收发器，支持多种TDM模式，可配置性强，14位ADC输出。
xilinx中国该产品适用于250W电机驱动应用，可减少噪音和系统震动。IPM多用于实现系统电机控制、逆变和保护，用在电机驱动、家电和工业化等需要智能控制的应用中。当前IPM多采用硅基IGBT或MOSFET。
　　HL8545/8545G 是一款多功能四通道高边电源开关，集成功率 NMOSFET 和电荷泵。两个版本都配备了先进的保护功能，包括负载电流限制、负载短路或开路，过载时的功率限制以及可配置的锁断或者自动重启模式。这些高精度电流检测和全面的诊断功能可以帮助系统实现智能负载控制。
　　KR2002-Q06N5AA采用了创新的结构设计，优化了釉面（作为储热层）和特殊的低电阻加热元件。同时，加热元件上的保护膜结构也经过优化，确保产生的热量能高效传递到打印介质，如热敏纸和热转印色带。此外，通过改进驱动IC和布线结构，设备能更有效地将电力转换为热能，从而提高打印性能。

　　PI3USB31532Q 采用 40 管脚 W-QFN3060-40 封装，面积仅为 3mm x 6mm，凭借节省空间的优势实现设计灵活性与高性能。8.3GHz下带宽为-3dB ，10Gbps 下插入损耗、回波损耗和串扰分别低至 -1.7dB、-15dB 和 -38dB，这些特性确保信号高度完整性。
xilinx中国多功能新型30V n沟道TrenchFET第五代功率MOSFET—SiSD5300DN，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源极倒装技术3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-F封装，10V栅极电压条件下导通电阻仅为0.71 mW，导通电阻与栅极电荷乘积，即开关应用中MOSFET关键的优值系数（FOM）为42 mW*nC，达到业内先进水平。
　　MSD4100WA有多项指标参数优于同类型产品，相较于国外同类对标产品，MSD4100WA具有超低内阻（1.8ohm），超低待机功耗的优点，同时配备了高速I3C接口，很大程度上减少低速接口带来的系统延时。
。MAX32690是一款先进的片上系统 (SoC)，将所有必要的处理能力与各种消费类和工业物联网 (IoT) 应用所需的易连接性和蓝牙功能结合在一起，是适用于电池供电应用的理想型超高效MCU。