rohm半导体

　　G3F产品系列针对高速开关性能进行了优化，与CCM TPPFC系统中的竞争对手相比，硬开关品质因数（FOMs）提高了40%。这将使下一代AI数据中心服务器电源（PSUs）的功率增加到10kW，每个机架的功率从30kW增加到100-120kW。
rohm半导体　　第三代650V快速碳化硅MOSFET凭借坚固、热性能强的TOLL封装，为关键、高可靠性、高效率的应用带来功率密度
　　纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布为其的第三代快速碳化硅（G3F）MOSFETs产品组合新增一款坚固耐用的热性能增强型高速表贴TOLL封装产品，能为大功率、可靠性要求高的应用带来高效、稳定的功率转换。
　　HIPS（高抗冲聚苯乙烯）可溶于柠檬烯，用于支撑 ABS，以及打印轻质物体。
　　TPE（热塑性弹性体），比此例中的 TPU 更有弹性（肖氏硬度 83A），高度耐用且抗疲劳，工作温度范围为 -30 至 140°C。
　　ASA 是一种抗紫外线的 ABS 替代品，其抗冲击性和耐热性几乎与 ABS 相同。适合户外应用，打印时气味较小。

与现有Pickering产品或其他品牌同类型PXI/PXIe产品相比，我们的新型4x-321高压多路复用器系列提供了两倍的开关有效载荷，可提供单刀或双刀形式和多达48通道的一系列产品。得益于使用Pickering公司生产的高质量舌簧继电器，新产品适用于10W下高达1KV的冷热切换，载流为1.25A。安全也通过硬件互锁得到保证。
　　三星Galaxy Ring作为今年全新推出且备受瞩目的健康向穿戴设备，采用了环形曲线设计的钛金属边框，具备超轻量化机身、10ATM防水等级以及可达7天的持久续航能力。基于三星多年来在智能穿戴领域的积极探索，三星Galaxy Ring能以超乎想象的小巧形态，为用户带来从心率警示、睡眠追踪到日常活动在内的全天候多元健康体验。
rohm半导体型接近传感器—VCNL36828P，提高消费类电子应用的效率和性能。Vishay Semiconductors VCNL36828P采用垂直腔面发射激光器（VCSEL），在2.0 mm x 1.0 mm x 0.5 mm小型表面贴装封装中集成光电二极管、专用集成电路（ASIC）、16位 ADC和智能双I2C从机地址。
　　英飞凌表示，这种功率和性能的组合可节省系统物料清单 (BOM)，而 <10 ?A 深度睡眠和 <1 ?A 休眠模式可为低功耗和电池驱动应用节省能源。 MLX90427还配备高精度的模拟数字转换器（ADC）、强大数字信号处理器（DSP）来辅助处理信号任务，以及用于SPI信号输出的输出级驱动芯片。
　　此外，新产品还具有过热保护和短路保护功能，当电路产生异常热量或发生意外短路时，可通过立即关闭eFuse IC来保护电路。eFuse IC的另一个优势是消除复杂的电路设计，并减少组件数量——与使用分立部件实现保护功能相比，可以实现更简单的电路设计，使用更少的组件和更小的面积。
rohm半导体　　特尔公司正式推出首款英特尔锐炫车载独立显卡（dGPU），以重塑汽车行业格局。这一全新产品将赋能汽车厂商打造下一代车载体验，以满足并超越当前消费者对汽车内部配备更多屏幕、获得更高清晰度，并拥有更加独具匠心的AI座舱体验不断增长的期望。
达到PMBusTM 标准的主动监测功能可以提高系统可靠性。严重过流（SOC）时，可编程栅极关断功能可在1 ?s内实现稳健的关断操作。先进的闭环SOA控制确保了更高的MOSFET可靠性，全数字工作模式更大程度地减少了对外部半导体元件的需求，提供了一个紧凑的解决方案，使其成为空间受限设计的上佳选择，具有极高的成本效益。
　　作为 Microchip首批64位产品之一，PIC64高性能航天计算（PIC64-HPSC）系列也即将推出。这些太空级64位多核 RISC-V MPU旨在将计算性能提高100倍以上，同时为航空航天和防御应用提供前所未有的耐辐射和容错能力。