onsemi半导体

　　这款混合分立器件采用快速硬开关TRENCHSTOP 5 650 V IGBT与零反向恢复CoolSiC肖特基二极管共封装，在开关速度超过50 kHz时的开关损耗极低。这使得该器件成为大功率电动汽车充电系统的上佳之选。此外，坚固耐用的第5代 CoolSiC肖特基二极管还具有更强的抗浪涌电流能力，地提高了可靠性。
onsemi半导体LMR技术提供了冲击和10～300 Hz的宽带频率响应，提供和细腻的反馈，同时也为游戏、VR、可穿戴设备和计算机外设提供了敏锐的冲击触觉维度。TacHammer Carlton提供3.6 Grms的宽带稳态加速度和25G的冲击加速度。
　　随着用户对智能手机摄像头质量和性能的期望不断提高，从各个角度拍出出色照片的需求也空前高涨。为此，三星半导体推出其的移动图像传感器产品矩阵，让消费者从各个角度拍照，都能拍摄出满意的图像效果，为移动手机摄影打开了新天地。

　　“沉浸式显示娱乐现在受到日常消费者的追捧，而不仅仅是电影爱好者和游戏玩家，”TI 数字光投影机总经理 Jeff Marsh 说。“消费者曾经需要一台大电视或显示器来获得清晰明了的显示效果，而现在他们可以使用生活方式或游戏投影仪，并将墙壁变成他们选择的屏幕尺寸。”
　　H4010是一种内置30V耐压MOS，并且能够实现恒压以及恒流的同步降压型 DC-DC 转换器； 支持 1A 持续输出电流输出电压可调，可支持 100%占空比；通过调节 FB 端口的分压电阻，可以输出 2.5V到 22V 的稳定电压 。H4010 具有的恒压/恒流(CC/CV)特性。
onsemi半导体　　BC68R2123工作电压为2.2V~3.6V；MCU具有1K×14 OTP Memory、64×8 RAM、2组Timer等系统资源。RF发射功率达+13dBm，射频特性符合ETSI/FCC规范，支持OOK/FSK调制，传输速率0.5kbps~50kbps。采用16NSOP-EP封装，具备9个GPIO。
　　英特尔研究员兼 I/O 架构师 Debendra Das Sharma 表示：“英特尔很高兴看到美光携美光 9550 NVMe SSD 进入 PCIe 5.0 市场。这款 PCIe 5.0 SSD 与英特尔的 PCIe 5.0 处理器平台，特别是第四代英特尔 至强、第五代英特尔 至强 和英特尔 至强 6 处理器，实现了良好的兼容。
　　针对这一亟待解决的问题，芯擎科技推出工业级 “龍鹰一号” 7nm AIoT应用处理器SE1000-I，瞄准国产高端工业边缘计算和机器人应用，为市场提供了更高性能、更安全、高速接口更丰富的高端应用处理器，既满足了工业环境苛刻的运行条件，也符合新兴市场对工业级高性能计算的需求.

　　与奇景共同开发的T2000内建了由元太科技开发的手写运算处理单元（Handwriting Process Unit），与触控控制器紧密互动，无需透过系统单芯片（SoC），即可支持电子纸笔记本的手写应用。此一创新设计降低了开发复杂度，并加速画面感应回馈速度。
onsemi半导体这一新版本选择彰显了我们对 Wi-Fi 以及提供创新连接解决方案的承诺，使我们的客户能够突破无线设计的极限。
正式面向中国市场推出第六代折叠屏手机三星Galaxy Z Fold6与Galaxy Z Flip6。同步登陆国内的还有诸多智能穿戴新品，包括三星Galaxy Ring、Galaxy Watch7、Galaxy Watch Ultra以及三星Galaxy Buds3系列。
　　HAL/HAR 3936 满足行业对稳健型 3D 位置传感器和符合 ISO 26262 标准的需求，为包括转向柱开关在内的各种应用场景提供可靠的解决方案。值得关注的功能包括能够省电的低功率模式，便于直接连接到车辆的电池，以提高效率。